T.Arai, Y.Harada, S.Yamagami, Y.Miyamoto, and K.Furuya: "First Fabrication of GaInAs/InP Buried Metal Heterojunction Bipolar Transistor and Reduction of Base-Collector Capacitance"Jpn.J.Appl.Phys.. vol.39 [6A]. L503-L505 (2000)
T.Arai, Y.Harada, S.Yamagami, Y.Miyamoto, and K.Furuya: "First Fabrication of GaInAs/InP Buried Metal Heterojunction Bipolar Transistor and Reduction of Base-Collector Capacitance"Jpn.J.Appl.Phys.. vol.39 [6A]. L503-L505 (2000)
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T.Arai、Y.Harada、S.Yamagami、Y.Miyamoto 和 K.Furuya：“首次制造 GaInAs/InP 埋入金属异质结双极晶体管并降低基极-集电极电容”Jpn.J.Appl.Phys..
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