物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル
物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル
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用于预测由于物理等离子体损伤而导致 MOSFET 变化增加的综合模型
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
斧高一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
江利口浩二;中久保義則;松田朝彦;鷹尾祥典;斧高一
