Structural change of direct silicon bonding substrates by interfacial oxide out-diffusion annealing
Structural change of direct silicon bonding substrates by interfacial oxide out-diffusion annealing
复制标题
界面氧化物外扩散退火直接硅键合衬底的结构变化
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Kato;et al.
