HYDROGEN-SENSITIVE PD-GATE MOS-TRANSISTOR
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DOI：
10.1063/1.322185
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发表时间：
1975-01-01
影响因子：
3.2
通讯作者：
SVENSSON, CM
中科院分区：
文献类型：
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作者：
LUNDSTROM, KI;SHIVARAMAN, MS;SVENSSON, CM
