A {112}Σ3 boundary grown from the decomposition of a Σ9 boundary during directional solidification of multicrystalline silicon
A {112}Σ3 boundary grown from the decomposition of a Σ9 boundary during directional solidification of multicrystalline silicon
复制标题
多晶硅定向凝固过程中 Σ9 边界分解产生的 {112}Σ3 边界
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
藤原航三
中科院分区：
文献类型：
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作者：
荘履中;前田健作;森戸春彦;藤原航三
