On-Wafer Capacitance Measurement of Nb-Based SIS Junctions With a 4-K Probe Station

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使用 4-K 探针台测量铌基 SIS 结的晶圆电容

DOI:
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发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
and Y. Uzawa
and Y. Uzawa
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
T. Kojima;M. Kroug;K. Sato;T. Sakai;and Y. Uzawa

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