Gate interfacial layer in hydrogen-terminated diamond field-effect transistors
Gate interfacial layer in hydrogen-terminated diamond field-effect transistors
复制标题
氢端金刚石场效应晶体管中的栅极界面层
DOI：
10.1016/j.diamond.2007.12.022
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发表时间：
2008
影响因子：
4.1
通讯作者：
Y. Yamauchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Kasu;K. Ueda;H. Kageshima;Y. Yamauchi
