更屋 拓哉: "0.15μm部分空乏型SOI MOSFETにおける1V以下での基板浮遊効果" 生産研究. 49,4. 231-234 (1997)
更屋 拓哉: "0.15μm部分空乏型SOI MOSFETにおける1V以下での基板浮遊効果" 生産研究. 49,4. 231-234 (1997)
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Takuya Saraya：“0.15μm 部分耗尽 SOI MOSFET 中低于 1V 的衬底浮动效应”生产研究 49,4 (1997)。
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