シリコンGAAナノワイヤMOSFETの低温サブスレッショルド特性
シリコンGAAナノワイヤMOSFETの低温サブスレッショルド特性
复制标题
硅 GAA 纳米线 MOSFET 的低温亚阈值特性
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
関口翔平
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Sekiguchi Shohei;Ahn Min-Ju;Mizutani Tomoko;Saraya Takuya;Kobayashi Masaharu;Hiramoto Toshiro;金 駿午;Shohei Sekiguchi;関口翔平
