Fabrication of Single-Electron Transistors Using Field-Emission-Induced Electromigration

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利用场发射感应电迁移制造单电子晶体管

DOI:
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发表时间:
2010
期刊:
J.Nanosci.Nanotechnol.
影响因子:
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通讯作者:
M.Hanada J.Shirakashi
M.Hanada J.Shirakashi
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
W.Kume;Y.Tomoda;M.Hanada J.Shirakashi

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