不揮発性半導体メモリのSiNX電荷捕獲層の正孔捕獲特性
不揮発性半導体メモリのSiNX電荷捕獲層の正孔捕獲特性
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非易失性半导体存储器中SiNX电荷捕获层的空穴捕获特性
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小林清輝
中科院分区：
文献类型：
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作者：
加藤海平;S. R. A. Ahmed;小林清輝
