Si1-xCx混晶半導体の不純物活性化プロセスにおける結晶欠陥形成過程の解明

Si1-xCx混晶半導体の不純物活性化プロセスにおける結晶欠陥形成過程の解明
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阐明Si1-xCx混晶半导体杂质激活过程中晶体缺陷形成过程

DOI:
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发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
白木靖寛
白木靖寛
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
藤原幸亮;酒井翔一朗;古川洋志;井上樹範;有元圭介;山中淳二;中川清和;宇佐美徳隆;星裕介;澤野憲太郎;白木靖寛

文献摘要

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