標準電極電位差を利用した3値記憶素子の作製
標準電極電位差を利用した3値記憶素子の作製
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利用标准电极电位差制作三元存储元件
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
一杉 太郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
渡邊 佑紀;清水 亮太;西尾 和記;杉山 一生;リウ ウェイ;渡邉 聡;一杉 太郎
