K. Shimizu, S. Ohki, T. Saito, and J. Hanna: "Electrical Properties of Reactive Thermal CVD poly-SiGe prepared at % Torr and 450 ℃"J. Non-Cryst. Solids. (in press). (2000)
K. Shimizu, S. Ohki, T. Saito, and J. Hanna: "Electrical Properties of Reactive Thermal CVD poly-SiGe prepared at % Torr and 450 ℃"J. Non-Cryst. Solids. (in press). (2000)
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K. Shimizu、S. Ohki、T. Saito 和 J. Hanna：“在 % Torr 和 450 ℃ 下制备的反应性热 CVD 多晶硅的电性能”（出版中）。 ）
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