窒素組成制御によるGe向け金属性HfN/絶縁性HfNx/半導体MIS構造の研究
窒素組成制御によるGe向け金属性HfN/絶縁性HfNx/半導体MIS構造の研究
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控制氮成分研究金属HfN/绝缘HfNx/Ge半导体MIS结构
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
前田 辰郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
三浦 脩;田中 正俊;安田 哲二;前田 辰郎
