Growth of GaAs_<1-x>Bi_xB/GaAs multi-quantum wells with 1.3 μm photoluminescence emission
Growth of GaAs_<1-x>Bi_xB/GaAs multi-quantum wells with 1.3 μm photoluminescence emission
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具有1.3 μm光致发光发射的GaAs_<1-x>Bi_xB/GaAs多量子阱的生长
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masahiro Yoshimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yoriko Tominaga;Yusuke Kinoshita;Kunishige Oe;Masahiro Yoshimoto
