An investigation of the early stages of native oxide growth on chemically etched and sulfur-treated GaAs(100) and InP(100) surfaces by scanning tunnelling microscopy
An investigation of the early stages of native oxide growth on chemically etched and sulfur-treated GaAs(100) and InP(100) surfaces by scanning tunnelling microscopy
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通过扫描隧道显微镜研究化学蚀刻和硫处理的 GaAs(100) 和 InP(100) 表面上自然氧化物生长的早期阶段
DOI：
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发表时间：
1992
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
G. Hughes
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Moriarty;G. Hughes
