4H-SiC MESFET器件的制备与性能

4H-SiC MESFET器件的制备与性能
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DOI:
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发表时间:
2007
期刊:
半导体学报, 28卷,pp164-166,2007年增刊
影响因子:
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通讯作者:
刘忠立
刘忠立
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
宁瑾;张杨;刘忠立

文献摘要

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