Zustandsverhalten und elektrische Leitfähigkeit von MgGeO3 bei Drücken bis 65 kbar und Temperaturen bis 1300°C (mit Folgerungen für das Druckverhalten von MgSiO3)
Zustandsverhalten und elektrische Leitfähigkeit von MgGeO3 bei Drücken bis 65 kbar und Temperaturen bis 1300°C (mit Folgerungen für das Druckverhalten von MgSiO3)
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65 kbar 和温度 bis 1300°C（mit Folgerungen für das Druckverhalten von MgSiO3）
DOI：
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发表时间：
1974
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Neuhaus
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Kirfel;A. Neuhaus
- für den Zustandsbereich bis 65 kb und 1300°C nach den Methoden der staticchen Hochdruck-Hochtemperatur-Synthese anhand von Abschreckprodukten bestimmt.研究结果表明，存在一种含Druckfolge的三型体：正辉石型（-02*）->斜辉石型（Cin）-* 钛铁矿型。第三阶段的Zellendaten将被估计。Für die Umwandlungskurve ortho -* klino ergab sich dT/dP =-0，122 [°C/bar]; Tu（ortho -» klino）[°C] = 1556
— für den Zustandsbereich bis 65 kb und 1300°C nach den Methoden der statischen Hochdruck-Hochtemperatur-Synthese anhand von Abschreckprodukten bestimmt. Die Untersuchungen ergaben eine Trimorphie mit der Druckfolge: ortho-Pyroxentyp (-02*) -> klino-Pyroxentyp (Cin) -* Ilmenittyp. Die Zellendaten der 3 Phasen wurden bestimmt. Für die Umwandlungskurve ortho -* klino ergab sich dT/dP = -0,122 [°C/bar]; Tu (ortho -» klino) [°C] = 1556