Masahiro Yoshimoto, Takao Nakano, Takashi Yamasita, Koji Suzuki, and Junji Saraie: "MBE growth of InN on Si toward hole-barrier structure in Si devices"Proceedings International Workshop on Nitride Semiconductors, 2000 Nagoya (IPAP Conf.Series). Vol. 1. 1
Masahiro Yoshimoto, Takao Nakano, Takashi Yamasita, Koji Suzuki, and Junji Saraie: "MBE growth of InN on Si toward hole-barrier structure in Si devices"Proceedings International Workshop on Nitride Semiconductors, 2000 Nagoya (IPAP Conf.Series). Vol. 1. 1
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Masahiro Yoshimoto、Takao Nakano、Takashi Yamasita、Koji Suzuki 和 Junji Saraie：“Si 上 InN 的 MBE 生长，朝向 Si 器件中的空穴势垒结构”，氮化物半导体国际研讨会论文集，2000 年名古屋（IPAP Conf.Series）。
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