アモルファス基板上に作製したInGaN薄膜トランジスタの特性
アモルファス基板上に作製したInGaN薄膜トランジスタの特性
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非晶衬底上制造的InGaN薄膜晶体管的特性
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小林 篤，伊藤剛輝，ライケーシン，上野耕平，太田実雄，藤岡洋
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Atsushi Kobayashi;Khe Shin Lye;Kohei Ueno;Jitsuo Ohta;and Hiroshi Fujioka;小林篤，上野耕平，太田実雄，藤岡洋;小林 篤，伊藤剛輝，ライケーシン，上野耕平，太田実雄，藤岡洋
