RF and Logic Performance Improvement of Composite-Channel HEMT Using Gate-Sinking Technology
RF and Logic Performance Improvement of Composite-Channel HEMT Using Gate-Sinking Technology
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使用栅极下沉技术提高复合沟道 HEMT 的射频和逻辑性能
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Ching
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Kuo;H. Hsu;E. Chang;Chia;Y. Miyamoto;S. Datta;M. Radosavljevic;G. Huang;Ching
