抵抗変化型メモリに向けた液中成膜酸化セリウム膜の酸素空孔量変化と抵抗変化特性評価
抵抗変化型メモリに向けた液中成膜酸化セリウム膜の酸素空孔量変化と抵抗変化特性評価
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电阻变化存储器液体沉积氧化铈薄膜的氧空位量变化和电阻变化特性评价
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
松下 伸広
中科院分区：
文献类型：
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作者：
青木 俊悟;久保田 雄太;松下 伸広
