A high-current InP-channel triple heterojunction tunnel transistor design
A high-current InP-channel triple heterojunction tunnel transistor design
复制标题
大电流InP沟道三异质结隧道晶体管设计
DOI：
10.1109/drc.2017.7999437
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Rodwell, Mark J.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Long, Pengyu;Povolotskyi, Michael;Huang, Jun Z.;Charles, James;Kubis, Tillmann;Klimeck, Gerhard;Rodwell, Mark J.
