ALE法で意図的にN分布を変化させたGaAsN薄膜の電気特性の測定温度依存性
ALE法で意図的にN分布を変化させたGaAsN薄膜の電気特性の測定温度依存性
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使用 ALE 方法测量有意改变 N 分布的 GaAsN 薄膜电性能的温度依赖性
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
鈴木 秀俊
中科院分区：
文献类型：
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作者：
河野 将大;上田 大貴;峰松 遼;原口 智宏;鈴木 秀俊
