K.NAKASHIMA: "Erーdoping in Si by Pulsed Laser Irradiation" Gordon Research Conference Point Defects,Line Defects,and Interfaces in Semiconductors(July 20ー24,1992).
K.NAKASHIMA: "Erーdoping in Si by Pulsed Laser Irradiation" Gordon Research Conference Point Defects,Line Defects,and Interfaces in Semiconductors(July 20ー24,1992).
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K. NAKASHIMA：“通过脉冲激光辐照在 Si 中进行 Erdoping”戈登研究会议半导体中的点缺陷、线缺陷和界面（1992 年 7 月 20-24 日）。
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