Ge distribution at grain boundary in unidirectional growth of Si-rich SiGe
Ge distribution at grain boundary in unidirectional growth of Si-rich SiGe
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富硅SiGe单向生长中Ge在晶界的分布
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Satoshi Uda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Morgane Mokhtari;Kozo Fujiwara;Haruhiko Koizumi;Jun Nozawa;Satoshi Uda
