M.Akazawa,H.Hasegawa,H.Tomozawa and H.Fujikura: "Investigation of valence band offset modification at GaAs-AlAs and InGaAs-InAlAs heterointerfaces by a Si interlayer" Proc.of 19th Int.Symp.GaAs and Related Compounds(Karuizawa,Japan,28 September-2 October)
M.Akazawa,H.Hasegawa,H.Tomozawa and H.Fujikura: "Investigation of valence band offset modification at GaAs-AlAs and InGaAs-InAlAs heterointerfaces by a Si interlayer" Proc.of 19th Int.Symp.GaAs and Related Compounds(Karuizawa,Japan,28 September-2 October)
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M.Akazawa、H.Hasekawa、H.Tomozawa 和 H.Fujikura：“Si 中间层对 GaAs-AlAs 和 InGaAs-InAlAs 异质界面的价带偏移修改的研究”Proc.of 19th Int.Symp.GaAs 和相关化合物（
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