A dual-source low-energy mass-analysed ion beam system for semiconductor epitaxy and novel materials growth
A dual-source low-energy mass-analysed ion beam system for semiconductor epitaxy and novel materials growth
复制标题
用于半导体外延和新型材料生长的双源低能质量分析离子束系统
DOI：
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发表时间：
1991
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Rabalais
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Gordon;D. Armour;S. Donnelly;J. Berg;D. Marton;J. Rabalais
