H.Ishiwara,T.Hoshino,M.Usui,H.Katahama: "Formation of Strain-free GaAs-On-Si Structures by Annealing under Ultrahigh Pressure" Ext.Abst.Intern.Conf.on Solid State Devices and Materials. 122-124 (1993)
H.Ishiwara,T.Hoshino,M.Usui,H.Katahama: "Formation of Strain-free GaAs-On-Si Structures by Annealing under Ultrahigh Pressure" Ext.Abst.Intern.Conf.on Solid State Devices and Materials. 122-124 (1993)
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H.Ishiwara、T.Hoshino、M.Usui、H.Katahama：“通过超高压退火形成无应变 GaAs-On-Si 结构”Ext.Abst.Intern.Conf.on 固态器件和材料。
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