Excellent Leakage Current of Crystallized Silicon-Doped HfO2 Films Down to Sub-nm EOT
Excellent Leakage Current of Crystallized Silicon-Doped HfO2 Films Down to Sub-nm EOT
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结晶硅掺杂 HfO2 薄膜具有低至亚纳米 EOT 的优异漏电流
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A Toriumi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Tomida;K.Kita;A Toriumi
