Si上へのGeのエピタキシャル成長:Siフォトニクスへの展開

Si上へのGeのエピタキシャル成長:Siフォトニクスへの展開
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Ge 在 Si 上的外延生长:Si 光子学的发展

DOI:
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发表时间:
2015
期刊:
真空ジャーナル
影响因子:
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通讯作者:
石川靖彦
石川靖彦
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
石川靖彦

文献摘要

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