Improvement of capacitance-voltage (C-V) characteristics of YSZ/Si(001) and ZrO_2/Si thin film by Nb-doping
Improvement of capacitance-voltage (C-V) characteristics of YSZ/Si(001) and ZrO_2/Si thin film by Nb-doping
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Nb掺杂改善YSZ/Si(001)和ZrO_2/Si薄膜的电容-电压(C-V)特性
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N.Mizutani
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.Wakiya;T.Moriya;K.Shinozaki;N.Mizutani
