Analysis of lateral surface leakage in the vicinity of Schottky gates in AlGaN/GaN HEMTs
Analysis of lateral surface leakage in the vicinity of Schottky gates in AlGaN/GaN HEMTs
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AlGaN/GaN HEMT 肖特基栅极附近的横向表面泄漏分析
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Kasai and T. Hashizume
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Kotani;M. Tajima;S. Kasai and T. Hashizume
