Characterization of N-Doped GeTe Films and Their Applications to High-Performance Nano Phase-Change Memory
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复制标题
N掺杂GeTe薄膜的表征及其在高性能纳米相变存储器中的应用
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Hosaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Yin;and S. Hosaka
