High-throughput Screening of Metal Flux for SiC Solution Growth Using a High-Temperature Laser Microscope Observation and SIMS Depth Profiling
High-throughput Screening of Metal Flux for SiC Solution Growth Using a High-Temperature Laser Microscope Observation and SIMS Depth Profiling
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使用高温激光显微镜观察和 SIMS 深度分析对用于 SiC 溶液生长的金属熔剂进行高通量筛选
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Shingo Maruyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小沼碧海;丸山伸伍;松本祐司;Shingo Maruyama
