4族金属窒化膜を用いたSiへの低障壁・低抵抗コンタクトの形成
4族金属窒化膜を用いたSiへの低障壁・低抵抗コンタクトの形成
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使用第 4 族金属氮化物薄膜形成与 Si 的低势垒、低电阻接触
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中島 寛
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山本 祐介;村山 亮介;山本 圭介;王 冬;中島 寛
