Bias-voltage application in a hard x-ray photoelectron spectroscopic study of the interface states at oxide/Si(100) interface
Bias-voltage application in a hard x-ray photoelectron spectroscopic study of the interface states at oxide/Si(100) interface
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偏置电压在氧化物/Si(100)界面界面态硬X射线光电子能谱研究中的应用
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Keisuke Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yoshiyuki Yamashita;Hideki Yoshikawa;Toyohiro Chikyow;and Keisuke Kobayashi
