Optical properties of a tip-induced quantum dot

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尖端诱导量子点的光学特性

DOI：
10.1007/s003390100668
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发表时间：
2001
期刊：
Applied Physics A
影响因子：
--
通讯作者：
J. Devreese
J. Devreese
中科院分区：
--
文献类型：
--
作者：
M. Kemerink;K. Sauthoff;P. Koenraad;J. Gerritsen;H. van Kempen;V. Fomin;J. H. Wolter;J. Devreese

文献摘要

被引文献

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翻译后摘要：我们已经进行了光谱测量STM尖端诱导量子点在GaAs层。在（孔）量子点的主要限制被发现是在平行于尖端轴的方向。电子限制是通过一个子表面AlGaAs势垒。依赖于电流的测量表明，多体相互作用可以导致光谱蓝移高达75毫电子伏的隧穿电流为10 nA。因此，一个完整的治疗多体问题是需要一个准确的描述这种类型的系统。
Abstract.We have performed optical spectroscopy measurements on a STM-tip-induced quantum dot in a GaAs layer. The dominant confinement in the (hole) quantum dot is found to be in the direction parallel to the tip axis. Electron confinement is achieved by a sub-surface AlGaAs barrier. Current-dependent measurements indicate that many-body interactions can cause spectral blueshifts up to 75 meV for a tunneling current of 10 nA. Consequently, a full treatment of the many-body problem is required for an accurate description of this type of system.