(Invited) SiC MOS Interface States: Difference between Si Face and C Face
(Invited) SiC MOS Interface States: Difference between Si Face and C Face
复制标题
（特邀）SiC MOS界面状态：Si面和C面的区别
DOI：
--
复制
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Ohshima
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Umeda;M. Okamoto;R. Kosugi;S. Harada;R. Arai;Yoshihiro Sato;T. Makino;T. Ohshima
