High sensitivity group III nitride semiconductor based heterostructure field effect transistor type photosensors
High sensitivity group III nitride semiconductor based heterostructure field effect transistor type photosensors
复制标题
高灵敏度III族氮化物半导体基异质结构场效应晶体管型光电传感器
DOI：
--
复制
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
I. Akasaki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Iwaya;M. Ishiguro;M. Mizuno;K. Ikeda;T. Takeuchi;S. Kamiyama;I. Akasaki
