Increase in Drive Current by Pt/W Protection on Short-Channel Schottky Source/Drain Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with Metal Gate
Increase in Drive Current by Pt/W Protection on Short-Channel Schottky Source/Drain Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with Metal Gate
复制标题
通过对带金属栅极的短沟道肖特基源极/漏极金属氧化物半导体场效应晶体管进行 Pt/W 保护来增加驱动电流
DOI：
--
复制
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M.Asada
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H.Sato;H.Sato;T.Iguchi;M.Asada
