E.Tokumitsu,G.Fujii and H.Ishiwara: "Electrical Properties of Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor(MFIS)- and Metal-Ferroelectric-Metal-Insulator Semiconductor (MFMIS)-FETs"Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.39 Part 1,No.4B. 2125-2130 (2000)
E.Tokumitsu,G.Fujii and H.Ishiwara: "Electrical Properties of Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor(MFIS)- and Metal-Ferroelectric-Metal-Insulator Semiconductor (MFMIS)-FETs"Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.39 Part 1,No.4B. 2125-2130 (2000)
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E.Tokumitsu、G.Fujii 和 H.Ishiwara：“金属铁电绝缘体半导体 (MFIS) 和金属铁电金属绝缘体半导体 (MFMIS)-FET 的电气特性”Jpn.J.Appl.Phys。
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