Study on HK-VDMOS with deep trench termination. Superlattices and Microstructures
Study on HK-VDMOS with deep trench termination. Superlattices and Microstructures
复制标题
深沟槽终止HK-VDMOS的研究。
DOI：
--
复制
发表时间：
2014
影响因子：
3.1
通讯作者：
Xingbi Chen
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bo Yi;Zhi Lin;Xingbi Chen
