Patterning of hydrogen-passivated Si(100) using Ar(3P0,2) metastable atoms
Patterning of hydrogen-passivated Si(100) using Ar(3P0,2) metastable atoms
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使用 Ar(3P0,2) 亚稳态原子对氢钝化的 Si(100) 进行图案化
DOI：
10.1063/1.123813
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发表时间：
1999
影响因子：
4
通讯作者：
H. Craighead
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Hill;C. Haich;F. Dunning;G. K. Walters;J. McClelland;R. Celotta;H. Craighead
我们描述了硅的图案化，通过暴露氢钝化的Si（100）表面的Ar（3P 0，2）亚稳原子通过一个细的Ni网格在存在一个小的背景压力的氧气。亚稳态原子的影响导致形成均匀的氧化物层，其足以抵抗化学蚀刻，以允许实现特征深度<20 nm。通过对入射亚稳原子的光学操纵，这种技术可以为在不使用有机抗蚀剂的情况下在硅上进行大规模并行纳米级制造提供基础。
We describe the patterning of silicon by exposing a hydrogen-passivated Si(100) surface to Ar(3P0,2) metastable atoms through a fine Ni grid in the presence of a small background pressure of oxygen. Metastable atom impact leads to the formation of a uniform oxide layer that is sufficiently resistant to chemical etching to allow feature depths ≳20 nm to be realized. With optical manipulation of the incident metastable atoms, this technique could provide the basis for massively parallel nanoscale fabrication on silicon without the use of organic resists.