Study on the bias-dependent effects of proton-induced damage in CdZnTe radiation detectors using ion beam induced charge microscopy

Study on the bias-dependent effects of proton-induced damage in CdZnTe radiation detectors using ion beam induced charge microscopy
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使用离子束诱导电荷显微镜研究 CdZnTe 辐射探测器中质子诱导损伤的偏压相关效应

DOI:
10.1016/j.micron.2016.06.003
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发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
2.4
通讯作者:
Xi Shouzhi
Xi Shouzhi
中科院分区:
工程技术4区
文献类型:
--
作者:
Gu Yaxu;Jie Wanqi;Rong Caicai;Xu Lingyan;Xu Yadong;Lv Haoyan;Shen Hao;Du Guanghua;Guo Na;Guo Rongrong;Zha Gangqiang;Wang Tao;Xi Shouzhi

文献摘要

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