Improved GeOI substrates for pMOSFET off-state leakage control
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DOI：
10.1016/j.mee.2009.03.069
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发表时间：
2009-07
影响因子：
2.3
通讯作者：
K. Romanjek;E. Augendre;W. V. D. Daele;B. Grandchamp;L. Sanchez;C. L. Royer;J. Hartmann;B. Ghyselen;E. Guiot;K. Bourdelle;S. Cristoloveanu;F. Boulanger;L. Clavelier
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Romanjek;E. Augendre;W. V. D. Daele;B. Grandchamp;L. Sanchez;C. L. Royer;J. Hartmann;B. Ghyselen;E. Guiot;K. Bourdelle;S. Cristoloveanu;F. Boulanger;L. Clavelier
