M.Ishida: "Difference of Si selective growth on Al_2O_3 and SiO_2 substrates by electron irradiation method" Proc of the Int.Workshop on Mesoscopic Physics and Electronics (MPE95) in Tokyo,1995.39 (1995)
M.Ishida: "Difference of Si selective growth on Al_2O_3 and SiO_2 substrates by electron irradiation method" Proc of the Int.Workshop on Mesoscopic Physics and Electronics (MPE95) in Tokyo,1995.39 (1995)
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M.Ishida：“电子辐照法在Al_2O_3和SiO_2衬底上选择性生长Si的差异”，东京国际介观物理与电子学研讨会(MPE95)的Proc，1995.39 (1995)
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