Relativistic tight-binding approximation method for Bloch electrons in the uniform magnetic field and its application to silicon with vacancies
Relativistic tight-binding approximation method for Bloch electrons in the uniform magnetic field and its application to silicon with vacancies
复制标题
均匀磁场中布洛赫电子的相对论紧束缚近似方法及其在带空位硅中的应用
DOI：
--
复制
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Higuchi and K. Higuchi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. B. Hamal;M. Higuchi and K. Higuchi
