Hole-doping and pressure effects on the metal-insulator transition in single crystals of Y_<1-x>Ca_xTiO_3 (0.37【less than or equal】x【less than or equal】0.41)
Hole-doping and pressure effects on the metal-insulator transition in single crystals of Y_<1-x>Ca_xTiO_3 (0.37【less than or equal】x【less than or equal】0.41)
复制标题
空穴掺杂和压力对Y_<1-x>Ca_xTiO_3单晶金属-绝缘体转变的影响（0.37【小于等于】x【小于等于】0.41）
DOI：
--
复制
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M.Tsubota 他13名
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K.Umemori;M.Izawa;K.Saito;S.Sakanaka;F.Iga et al.;H.Sato et al.;H.Matsuhata et al.;H.Sato et al.;F.Iga他12名;H.Sato他19名;H.Matsuhata他6名;H.Sato他10名;M.Tsubota 他13名
